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規避常見“坑”：科學匹配EliteSiC柵極驅動，讓SiC器件發揮極致效能
隨著碳化硅（SiC）功率器件在新能源、工業控制等高壓高頻場景中加速普及，其性能潛力能否充分發揮，高度依賴于柵極驅動電路的精準設計與匹配。為此，本文提供一份針對SiC MOSFET的柵極驅動器匹配核心指南，系統解析如何在各類高功率主流應用中，科學選型與設計驅動電路，有效管控開關過程，從而顯著降低導通與開關損耗，最大化提升系統的電壓、電流效率與整體可靠性。
2025-12-04
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瞄準200mm GaN晶圓：安森美與英諾賽科簽署戰略協議，GaN市場競爭格局生變
為加速氮化鎵功率半導體在全球主要市場的普及，安森美與英諾賽科正式確立戰略合作關系。雙方簽署諒解備忘錄，計劃聚焦40V至200V中低壓GaN功率器件，通過深度融合安森美在系統集成與先進封裝方面的專長，以及英諾賽科成熟的制造工藝與量產能力，共同開發更具成本效益與能效優勢的解決方案。此舉旨在快速響應工業自動化、電動汽車、AI數據中心及5G通信等領域對高效功率器件日益增長的需求，推動GaN技術的大規模商用進程。
2025-12-04
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風電變流器邁入碳化硅時代：禾望電氣集成Wolfspeed模塊實現技術跨越
在風電行業追求更高效率與可靠性的進程中，碳化硅功率器件正成為打破技術天花板的關鍵支點。全球碳化硅技術領航者Wolfspeed（紐約證券交易所代碼：WOLF）與國內可再生能源解決方案提供商禾望電氣（Hopewind）達成深度合作，將先進的2.3 kV LM Pack模塊成功整合至950 Vac風電變流器平臺。這一技術融合標志著風電變流器正式邁入碳化硅時代，為核心部件的高功率密度與低損耗運行提供了全新解決方案。
2025-11-11
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175℃耐溫 + 全系列覆蓋，上海貝嶺高壓電機驅動芯片賦能工業與儲能場景
自 2018 年啟動工控與儲能市場戰略布局以來，上海貝嶺始終聚焦光伏儲能、伺服變頻、工業電源、BMS、電動工具、電動車等核心領域，專注于為客戶打造高性價比的半導體產品及系統解決方案。公司產品矩陣覆蓋電源管理、信號鏈產品、功率器件三大核心領域，依托功率器件、電源管理、接口芯片、隔離器、存儲器、馬達驅動、數據轉換、標準信號八大產品線，成功構建起全面的模擬與數模混合產品解決方案平臺。其中，在高壓電機驅動領域，公司產品覆蓋率已突破 80%。
2025-10-17
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強強聯合：羅姆與英飛凌共推SiC器件封裝兼容方案
全球兩大半導體巨頭——日本的羅姆與德國的英飛凌，正式宣布達成戰略合作。雙方將聚焦于碳化硅功率器件的封裝技術，致力于實現產品封裝的標準化與兼容。此舉旨在為車載電源、可再生能源、儲能及AI數據中心等關鍵領域的客戶，構建一個更具彈性與韌性的供應鏈。未來，客戶可以自由選用兩家公司引腳兼容的SiC產品，顯著簡化設計流程，降低采購風險，并實現快速、無縫的供應商切換。
2025-09-28
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安森美破解具身智能落地難題，全鏈路方案助推機器人產業化
人工智能技術正經歷革命性突破，特別是多模態大模型的快速發展，為機器人產業帶來了前所未有的機遇。這些技術進步不僅顯著提升了機器人的環境感知和智能決策能力，更重要的是正在破解人形機器人規模化量產的技術與成本瓶頸。作為半導體解決方案的領先提供商，安森美憑借其在感知、控制和功率器件等關鍵環節的全面布局，為具身智能機器人和自主移動機器人(AMR)提供了完整的硬件解決方案，助力機器人實現從單一功能到多功能協同的智能化飛躍。
2025-09-18
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羅姆半導體亮相上海：SiC與GaN功率器件應用全面解析
日本京都全球知名半導體制造商羅姆（ROHM Semiconductor）正式確認參展2025年上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會（PCIM Asia 2025）。本次展會將于9月24日至26日在上海舉行，羅姆將重點展示其在碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件領域的最新技術突破與產品解決方案，這些技術主要面向工業設備和汽車電子應用領域。展會期間，羅姆還將舉辦多場專業技術研討會，與業界專家共同探討電力電子技術的最新發展趨勢和創新應用。
2025-09-11
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鵬城芯光耀未來：30萬㎡“半導體+光電子”超級盛會，洞見產業融合新紀元 ?
SEMI-e 2025深圳國際半導體展百字速覽 時間地點：2025年9月10-12日，深圳國際會展中心（寶安）。 核心亮點： 雙展融合：聯動CIOE中國光博會，共筑30萬㎡“半導體+光電子”生態，超5000家展商、16萬專業觀眾共聚。 國產突破：1000+龍頭企業（紫光展銳、中芯國際、北方華創等）展示先進封裝、SiC/GaN功率器件、工業軟件等核心技術。 精準展區：6大主題聚焦2.5D/3D封裝、CPO光互聯、車載芯片應用，覆蓋設計至制造全鏈。 行業前瞻：20+場峰會深度探討第三代半導體材料、TGV封裝等議題，破解產業瓶頸。 行動指南：一證通行雙展，掃碼免費領取參觀證件，高效對接產業資源。
2025-09-03
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SiC賦能工業充電器：拓撲結構優化與元器件選型實戰指南
隨著工業新能源體系（如電動叉車、分布式儲能、重型工程機械）的快速擴張，電池充電器的高功率密度、高轉換效率、高可靠性已成為剛性需求。傳統IGBT器件因開關速度慢、反向恢復損耗大，難以滿足“小體積、大輸出”的設計目標——而碳化硅（SiC）功率器件的出現，徹底改變了這一局面。 SiC器件的核心優勢在于極致的開關性能：其開關速度可達IGBT的5-10倍，反向恢復損耗幾乎為零，同時能在175℃以上的高溫環境下穩定工作。這些特性不僅能將充電器的功率密度提升40%以上（相同功率下體積縮小1/3），更關鍵的是，它突破了IGBT對功率因數校正（PFC）拓撲的限制——比如圖騰柱PFC、交錯并聯PFC等新型架構，原本因IGBT的損耗問題無法落地，如今借助SiC得以實現，使充電器的整體效率從92%提升至96%以上。 本文將聚焦工業充電器的拓撲結構優化，結合SiC器件的特性，拆解“如何通過拓撲選型匹配SiC優勢”“元器件（如電容、電感）如何與拓撲協同”等核心問題，為工程師提供可落地的設計指南。
2025-08-29
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安森美iGaN解密：打造300W游戲電源能效巔峰
當電子設備的性能追求愈發嚴苛，尤其是游戲等高負載場景下的極致體驗，對電源轉換技術提出了前所未有的挑戰：既要磅礴動力（300W級），又需超高效率與緊湊形態。硅基功率器件日漸觸及物理天花板，這驅使產業目光轉向潛力巨大的氮化鎵（GaN）。安森美iGaN技術作為高效能電源的先鋒代表，如何賦能300W游戲適配器的設計？本文將剖析其核心優勢，并深入探討關鍵設計要素如電源管理、旁路電容等實現高效的關鍵點。
2025-08-22
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工業充電器能效革命：碳化硅技術選型與拓撲優化實戰
隨著800V高壓平臺在電動汽車與工業儲能領域加速滲透，傳統硅基功率器件正面臨開關損耗與散熱設計的雙重瓶頸。以碳化硅（SiC）MOSFET為代表的新型半導體，憑借10倍于IGBT的開關頻率和85%的能效提升率，正推動工業充電器架構向高頻化、集成化躍遷。本文深度解析SiC技術賦能的拓撲結構選型策略，揭曉如何在LLC諧振、圖騰柱PFC等創新方案中精準匹配功率器件參數，實現系統成本與性能的黃金平衡點。
2025-08-19
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工業充電器PFC拓撲進化論：SiC如何重塑高效電源設計？
在工業4.0時代，從便攜式電動工具到重型AGV（自動導引車），電池供電設備正加速滲透制造業、倉儲物流和建筑領域。然而，工業級充電器的設計挑戰重重：既要承受嚴苛環境（如高溫、震動、粉塵），又需在120V~480V寬輸入電壓下保持高效穩定，同時滿足輕量化、無風扇散熱的需求。碳化硅（SiC）功率器件的崛起，正為這一難題提供破局關鍵——其超快開關速度和低損耗特性，不僅提升了功率密度，更解鎖了傳統IGBT難以實現的新型PFC（功率因數校正）拓撲。本文將深入解析工業充電器的PFC級設計策略，助您精準選型。
2025-08-18
- 國產濾波技術突破：金升陽FC-LxxM系列實現寬電壓全場景覆蓋
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