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300mm晶圓量產(chǎn)光學(xué)超表面！ST與Metalenz深化納米光學(xué)革命
全球半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics） 與超表面光學(xué)先驅(qū)Metalenz達(dá)成戰(zhàn)略級(jí)技術(shù)許可合作，標(biāo)志著納米光學(xué)器件規(guī)模化生產(chǎn)取得關(guān)鍵突破。本次協(xié)議拓展了ST對(duì)Metalenz核心知識(shí)產(chǎn)權(quán)的使用權(quán)，并將依托其300毫米晶圓產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)超表面光學(xué)元件的全流程整合制造——從半導(dǎo)體級(jí)納米壓印到光電協(xié)同測...
2025-07-10
意法半導(dǎo)體 Metalenz 超表面光學(xué)量產(chǎn) 300mm光學(xué)晶圓 超透鏡技術(shù) 晶圓級(jí)光學(xué) TOF傳感器
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超300cd亮度+毫米級(jí)光域！艾邁斯歐司朗SYNIOS P2720重構(gòu)車燈微光學(xué)架構(gòu)
艾邁斯歐司朗（ams OSRAM）推出SYNIOS? P1515/P2222/P2720三大LED系列，通過微光學(xué)透鏡陣列與多像素集成技術(shù)，在格柵照明、信號(hào)燈等場景實(shí)現(xiàn)毫米級(jí)光域控制與動(dòng)態(tài)功能復(fù)用。該方案突破傳統(tǒng)LED的光效局限，以0.1mm2超小發(fā)光面達(dá)成300cd超高亮度（P2720系列），同步解決汽車設(shè)計(jì)的功能安全、造型美學(xué)...
2025-07-08
邁斯歐司朗 SYNIOS P1515 SYNIOS P2222 SYNIOS P2720 汽車格柵照明 動(dòng)態(tài)信號(hào)燈 微光學(xué)LED
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電感傳感破局線控技術(shù)系統(tǒng)！汽車機(jī)械架構(gòu)的數(shù)字化革命
百年汽車工業(yè)正經(jīng)歷深刻變革，電動(dòng)化與智能化浪潮下，傳統(tǒng)機(jī)械傳動(dòng)系統(tǒng)的局限愈發(fā)明顯。線控技術(shù)（Drive-By-Wire）以電信號(hào)替代機(jī)械連接，正重構(gòu)汽車的神經(jīng)中樞，其中電感式位置傳感器成為關(guān)鍵支撐。以線控制動(dòng)系統(tǒng)為例，傳統(tǒng)液壓制動(dòng)依賴機(jī)械連桿傳遞踏板力，而線控制動(dòng)系統(tǒng)通過電感式傳感芯片實(shí)時(shí)...
2025-07-08
線控技術(shù) 電感式位置傳感器 線控制動(dòng)系統(tǒng) 安森美HELLA合作 汽車電子架構(gòu)變革
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聚合物電容全景解析：從納米結(jié)構(gòu)到千億市場的國產(chǎn)突圍戰(zhàn)
聚合物電容以導(dǎo)電聚合物或高分子材料作為電解質(zhì)核心，通過精密結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)電荷高效存儲(chǔ)與釋放。其核心構(gòu)造包含四大關(guān)鍵層：金屬陽極（鋁箔或鉭燒結(jié)體）、介質(zhì)氧化層（Al?O?或Ta?O?）、導(dǎo)電聚合物陰極（如PEDOT）、以及外部封裝材料。當(dāng)電壓施加時(shí)，陽極形成納米級(jí)介質(zhì)層（厚度僅0.5-1nm），配合高...
2025-07-07
聚合物電容選型 低ESR電容 車規(guī)級(jí)電容 國產(chǎn)電容替代 vPolyTan AEC-Q200電容高頻電路濾波
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KEMET T495/T520 vs AVX TAJ鉭電容深度對(duì)比：如何選擇更適合你的設(shè)計(jì)？
在高端電子系統(tǒng)中，鉭電容憑借超高容量密度與低ESR特性成為核心儲(chǔ)能元件。KEMET與AVX作為全球兩大巨頭，其旗艦產(chǎn)品T495/T520系列（聚合物陰極）與TAJ系列（二氧化錳陰極）代表了兩種技術(shù)路線的巔峰對(duì)決。本文基于實(shí)測參數(shù)與供應(yīng)鏈數(shù)據(jù)，深度解析兩大方案在材料工藝、電氣性能、場景適配及成本控制的...
2025-07-07
KEMET 鉭電容 AVX TAJ系列 T495/T520對(duì)比 鉭電容選型指南 ESR參數(shù)對(duì)比 鉭電容應(yīng)用場景
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鉭電容技術(shù)全景解析：從納米級(jí)介質(zhì)到AI服務(wù)器供電革命
鉭電容以五氧化二鉭（Ta?O?）介質(zhì)層為核心，通過高純度鉭粉燒結(jié)形成多孔陽極基體，經(jīng)電化學(xué)氧化生成僅0.5-1nm的絕緣介質(zhì)層，再覆蓋二氧化錳或聚合物陰極構(gòu)成電荷存儲(chǔ)體系16。其介電常數(shù)達(dá)27，遠(yuǎn)超鋁電解電容的8-10，賦予其超高容量密度（200μF/mm3）、低ESR（最低0.05Ω）及寬溫穩(wěn)定性（-55℃~125℃容...
2025-07-04
鉭電容 選型指南 鉭電容與MLCC區(qū)別 聚合物鉭電容 車規(guī)級(jí)鉭電容 國產(chǎn)鉭電容品牌 高密度電路電容設(shè)計(jì)
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溫漂±5ppm的硬核科技：車規(guī)薄膜電阻在衛(wèi)星與6G中的關(guān)鍵作用
隨著汽車?yán)走_(dá)向79GHz演進(jìn)、低軌衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)加速部署、6G微基站啟動(dòng)原型驗(yàn)證，車規(guī)薄膜電阻正突破傳統(tǒng)應(yīng)用邊界，成為高頻高可靠電子系統(tǒng)的隱形守護(hù)者。
2025-07-03
車規(guī)薄膜電阻 AEC-Q200認(rèn)證 毫米波雷達(dá)信號(hào)鏈 低軌衛(wèi)星載荷 6G微基站 高精度電阻 抗干擾電阻
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1700V耐壓破局！Wolfspeed MOSFET重塑輔助電源三大矛盾
在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車及可再生能源系統(tǒng)的隱形戰(zhàn)場——輔助電源系統(tǒng)中，Wolfspeed 1700V SiC MOSFET以顛覆性耐壓能力直擊行業(yè)痛點(diǎn)：在確保多源采購靈活性的前提下，同步實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)尺寸縮減30%、壽命延長2倍、綜合成本降低25%，破解了高可靠性與低成本難以兼得的“三難困境”。
2025-07-02
Wolfspeed 碳化硅 1700V SiC MOSFET 輔助電源 電機(jī)驅(qū)動(dòng)供電方案 EV充電器待機(jī)電源 多源采購策略
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重磅公告！意法半導(dǎo)體2025年Q2業(yè)績發(fā)布及電話會(huì)議時(shí)間確定
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 將在2025年7月24日歐洲證券交易所開盤前公布2025年第二季度財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)。
2025-07-02
意法半導(dǎo)體 財(cái)報(bào) 電話會(huì)議時(shí)間
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
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